SK海力士等公司正在进行新型DRAM材料的研发和应用，计划在第6代(DRAM)生产中使用新型金属氧化物光刻胶(MOR)，并将用于其产晶的1c DRAM上，有五个极紫外(ELU)层，其将在2023年进行批量生产。SK海力士是最早开始研发这种新型材料的企业之一，而MOR则被视为未来用于先进芯片光刻的一种新型化学放大光刻胶(CAR)。同时，三星电子也计划在1c DRAM上应用MOR，目前三星电子正在与SK海力士合作研究。

随着科技的进步，新型存储设备在不断发展，尤其是在内存方面。其中，新型的DDR3(LDS)和DDR4(RSD)存储技术的推出极大地推动了这一趋势。然而，在这两种存储技术中，有一种新型的存储介质正在引发广泛关注，那就是新型金属氧化物光刻胶(MOR)。

MOR是一种新型的化学放大光刻胶，它能够在较低的成本下实现更高的光刻精度，这对于内存芯片制造来说是一个重要的突破。在最新的DDR5生产中，SK海力士已经将其应用于其生产的1C DDR5 DRAM上，并计划在未来进一步扩大生产规模。

尽管MOR的技术潜力巨大，但它的研发仍然面临着一些挑战。首先，MOR的制备过程复杂，需要高温高压环境下的精细控制。此外，MOR还需要具有良好的光稳定性和可靠性，这对于内存芯片的稳定性有着重要影响。

在这种情况下，韩国的一家名为SK海力士的研究机构正在积极开发新的纳米技术来改进MOR的性能。他们计划使用新型金属氧化物光刻胶(more metal oxide light etching material)来改善MOR的光刻性能，使其能够更好地适应不同种类的芯片。
三星电子也在积极关注MOR的发展。据报道，该公司已经与SK海力士共同研究并试验了新型的MOR，结果显示其在光刻质量和一致性上都有所提高。未来，三星电子可能会进一步加大在MOR研发上的投入，以满足市场需求。
总的来说，新型的金属氧化物光刻胶MOR是一种极具潜力的新一代存储介质，它的出现将对内存芯片制造行业产生深远影响。尽管还面临一些技术和工艺上的挑战，但是凭借SK海力士、三星电子等企业的共同努力，相信MOR的性能将会得到显著提升，从而推动整个内存芯片制造业的发展。