SK海力士报告称将开发3D DRAM降低EUV成本并用于更小的制程。三星已成功实现3D DRAM堆叠至16层，将在未来证实可行性并应用到10nm以下的DRAM应用。

在最近的一次通信技术会议上，韩国电子公司SK海力士宣布将开发一种新型的3D DRAM，这种类型的内存比传统的16层3D DRAM更小，但成本更低。该公司还表示，他们已经成功地将这种3D DRAM堆叠到了16层，并计划在未来确认其可行性和将其应用到10纳米以下的DRAM应用中。
这一消息引起了全球范围内的关注和热议，因为这不仅改变了现代计算机和数据中心的基本架构，而且也对半导体行业产生了深远影响。尽管三星已经成功实现了3D DRAM堆叠，但在未来的研发过程中，还需要解决许多技术难题，包括提高封装效率、降低成本等。
3D DRAM与传统16层3D DRAM的主要区别在于它的“堆叠”特性。传统的3D DRAM是由多个独立的存储单元组成，而3D DRAM则通过垂直堆叠的方式组合在一起，形成了一个更加紧凑的单元。这样可以减少存储空间的需求，从而降低存储成本。
然而，3D DRAM的堆叠也带来了一些挑战。例如，如何保持每层3D DRAM之间的紧密连接是非常困难的问题。此外，如何有效地分离和重新组装这些堆叠单元也是一个关键问题。
目前，SK海力士正在使用一系列新技术来解决这些问题。例如，他们正在研究一种新的沉积剂，可以更轻松地建立和维持3D堆叠结构。此外，他们还在尝试改进现有的封装技术，以便更好地利用这些堆叠单元。
总的来说，SK海力士的这次声明表明了他们对3D DRAM技术的信心和决心。虽然还有很多技术和工程上的挑战需要克服，但只要他们能够成功，那么3D DRAM可能会成为未来数据中心和计算机系统的一种重要组成部分。我们期待看到他们在解决这些挑战的同时，还能实现更多的创新和技术突破。