SK海力士宣布将在2024年推出HBM4E内存，这是自六代10纳米级以来首个量产的1纳米制程 DRAM。同时，新型颗粒将带来密度和能效的大幅提升，SK海力士计划在2025下半年批量生产1纳米制程的DRAM。但目前主流的HBM3E产品依然采用24GB DRAM颗粒，但未来HBM4e内存将实现32GB裸片，可以进一步扩展其应用范围，尤其是AI和超大规模计算场景。尽管混合键合仍存在良率不佳的问题，但SK海力士表示下代HBM4将尝试采用混合键合。

随着科技的发展，尤其是半导体行业的发展，越来越多的企业开始关注并投入研发1纳米级别的内存。近日，韩国企业SK海力士宣布，将在2024年推出全新的1纳米制程DRAM——HBM4E。这不仅是自六代10纳米级以来的首次大规模量产，也是有望为更多领域提供更强大的数据存储能力。

SK海力士表示，未来的HBM4E内存将实现32GB裸片，这是一种突破性的技术，将有助于扩大其应用范围。特别是在AI和超大规模计算场景中，能够支持更大的数据量和更高的处理速度，这将进一步推动相关领域的快速发展。

然而，虽然HBM4E内存实现了32GB的潜力，但在目前主流的HBM3E产品上仍然存在良率不佳的问题。对此，SK海力士表示，下代HBM4将尝试采用混合键合，这将对提高HBM4E内存的整体性能产生积极影响。这意味着，与传统的空穴型键合相比，混合键合可能会获得更好的性能。

此外，根据SK海力士的预测，到2025年，全球内存市场将达到850亿美元，其中HBM4E产品将占据重要的份额。因此，企业对于这款新产品的研发和推广有着极高的期待。
总的来说，SK海力士的这一举动，无疑表明了企业在推动半导体行业的技术创新和发展方面，将继续投入更多的精力和资源。对于消费者来说，我们也期待着这款新产品能够在改善现有设备的性能的同时，也带来更多的惊喜。