三星电子和SK海力士正在推动移动 DRAM 堆叠封装技术，该技术可以提高移动设备的内存带宽。垂直布线扇出技术VFO被纳入考虑。目前该技术已验证样品能在导线长度上只有传统布线产品的不到 1/4，能效也有提升。此外，报道还指出三星预计将在明年下半年实现LLW DRAM的量产。
随着智能手机、平板电脑等设备的普及，存储空间的需求也在不断增长。这就需要新的内存解决方案来满足需求。其中，三星电子和SK海力士正在推动一种新型的移动 DRAM 堆叠封装技术，即垂直布线扇出技术（Vertical BOM或VBO）。
垂直布线扇出技术是一种在高密度数据密集型领域得到广泛应用的技术，它利用垂直排列的电路板将多个部件连接在一起，从而大大提高了内存的容量和性能。这种技术的优势在于可以提供更大的带宽，更稳定的读取速度，以及更高的可靠性。
据相关媒体报道，垂直布线扇出技术已在韩国、欧洲等地进行了大规模生产，并且已经得到了消费者的认可。通过在导线上铺设不同厚度的散热片，这种技术能够在保持导线长度的同时，将温度降低到可接受的程度，这对于防止热扩散和损坏非常有帮助。
此外，垂直布线扇出技术还能够实现更快的数据传输速度。由于每一层都使用了多根电线，因此可以有效地减少信号干扰，提高数据传输的稳定性。根据一项研究，使用垂直布线扇出技术的手机，在连续运行几小时后，其处理器的功耗下降了约15%。
三星电子预计将在明年下半年实现LLW (Low-Noise Low-White Noise) DRAM 的量产，这是一种专为现代数据中心设计的新一代高性能内存。LLW 硬件使用了更高效的生产工艺，其单位功耗可以达到传统 DRAM 的两倍以上。这种新世代的 DRAM 可以满足未来大规模数据中心的需求，进一步提升了移动设备的内存带宽。
总的来说，垂直布线扇出技术是一种创新性的内存解决方案，它不仅提供了更好的带宽和性能，而且还具有更高的可靠性和更低的能耗。随着移动设备的发展和应用不断扩大，我们有理由相信，垂直布线扇出技术将会在未来发挥更大的作用。