近日，在全球半导体产业引发热议的焦点中，光刻机巨头ASML在其荷兰总部首度面向媒体揭开了新一代High NA EUV光刻机的神秘面纱。这一尖端设备的重要性不言而喻，英特尔已拔得头筹，率先购得全球首台High NA EUV光刻机，并在俄勒冈州晶圆厂安装启动。与此同时，台积电和三星亦紧随其后，预计最快将于2026年接收并安装该设备，届时High NA EUV将助力这三家全球领先的晶圆制造厂商在2nm以下先进制程的大规模量产进程中抢占先机，成为至关重要的“杀手锏”。
据ASML发言人Monique Mols透露，这套庞大且精密的High NA EUV光刻系统堪比一台双层巴士的体积，重量高达150吨，相当于两架空中客车A320客机之和。整个系统的运输需借助250个货箱，且装机过程极为繁复，预计需要集结250名工程人员，耗时整整六个月才能完成。而其高昂的价格更是令人咋舌，每台售价预计高达3.5亿欧元。
ASML CEO Peter Wennink强调，AI技术对运算能力和数据存储需求的爆炸性增长，使得ASML的技术创新显得至关重要，这也是驱动公司业务持续发展的关键动力。上一季度，ASML收到的EUV设备订单创下了历史新高。值得注意的是，尽管英特尔率先引入High NA EUV光刻机，但其首台设备并不会应用于Intel 18A制程的大规模量产，而是将在未来挑战1.8nm及更先进的工艺节点。相比之下，台积电与三星在采购High NA EUV设备方面稍显滞后，原因在于当前EUV光刻机仍能满足即将量产的2nm制程需求，且成本增幅有限。据行业人士推测，台积电或将在推进至1.4纳米（A14）节点时导入High NA EUV曝光机台，预计最早于2026年开始逐步交付，而大规模采用的时间顺序则各厂商有所差异。
对于High NA EUV光刻机，ASML信心满满地表示，其分辨率高达8nm的第一代High NA EUV系统EXE:5000能够显著简化芯片制造流程，且每小时可处理超过185个晶圆，相比现有的NXE系列产能还有所提升，计划到2025年进一步提高至每小时220片晶圆。这种生产力对于确保高数值孔径光刻技术在经济层面的可行性至关重要。
然而，半导体研究机构SemiAnalysis的分析师Jeff Koch提出，尽管部分芯片制造商可能会为了抢夺技术领先地位而提前引入High NA EUV，但在经济效益明显显现之前，大多数厂商可能选择继续利用现有工具以获取更多收益。据Koch分析，大规模转换至High NA EUV可能要等到2030年至2031年左右才具有成本效益。同时，他预测ASML将在2027-2028年尖端晶圆厂全面采用前沿逻辑制程之后，具备充足的High NA EUV产能供应市场。
尽管曾有质疑声音认为Low-NA EUV系统通过双重图案化技术更具成本优势，但ASML首席执行官Peter Wennink在今年1月回应称，市场可能低估了High NA EUV的经济效益。他表示，目前与客户沟通的情况显示，High NA EUV在经济层面上更具竞争力。
最后，ASML的High NA EUV产品管理负责人Greet Storms上周五宣布，High NA EUV技术带来的拐点预计将于2026-2027年左右来临，届时，它将在推动半导体产业进入下一个微缩时代的过程中发挥决定性作用。
：芯智讯-浪客剑
