2月26日，全球领先的存储解决方案提供商——美光科技震撼发布，已正式开始大规模生产革命性的HBM3E高带宽内存。这一尖端产品线的核心成员——24GB 8H HBM3E内存模组，将优先供应给英伟达，并将被应用于即将于第二季度起发货的NVIDIA H200 Tensor Core GPU，预示着数据中心、超级计算机以及人工智能领域将迎来新的性能飞跃。据官方资料透露，美光HBM3e内存基于创新的1β工艺制造，采用先进的TSV封装技术与2.5D/3D堆叠设计，能够提供高达1.2 TB/s及以上的卓越性能表现。
在性能方面，美光HBM3E内存展现出了三大显著优势：其一，超凡性能——以超过9.2 Gb/s的针脚速率和超过1.2 TB/s的内存带宽刷新行业纪录，满足了人工智能加速器、超级计算机和数据中心对极限性能的苛刻需求；其二，卓越能效——相比竞品，美光HBM3E内存功耗降低了约30%，在实现最大吞吐量的同时，最大程度地降低能耗，从而优化数据中心运营成本；其三，无缝扩展——凭借24GB的大容量设计，助力数据中心轻松应对AI应用的扩容需求，无论是训练庞大的神经网络还是加速推理任务，都能确保提供充足的内存带宽支持。
美光科技执行副总裁兼首席商务官Sumit Sadana表示：“美光科技通过HBM3E产品的推出，实现了上市时间领先、性能领航以及差异化能效优势的‘三重胜利’。”他进一步强调：“人工智能工作负载对于内存带宽和容量的依赖日益加重，而美光科技凭借我们业界顶尖的HBM3E和HBM4路线图，以及针对人工智能应用的全套DRAM和NAND解决方案，正处在推动未来人工智能爆发式增长的关键位置。”
值得关注的是，HBM系列作为美光科技的重要盈利支柱之一，由于其构建过程中所涉及的技术复杂性，使其在全球市场中占据领先地位。公司此前曾预测，在2024财年，HBM收入将达到“数亿美元”级别，并有望在2025年持续增长。
此外，美光科技还披露将在3月18日召开的全球人工智能大会上，深度分享其行业领先的人工智能内存产品组合及前瞻性的技术路线图，为全球科技界带来又一波震撼亮点。这场发布会无疑将进一步巩固美光科技在全球高性能内存领域的领导者地位。
