财报揭示积极展望
三星电子在2023年第四季度实现营收67.78万亿韩元，环比微增0.6%，同比下降3.8%。其中存储业务表现尤为抢眼，营收达15.71万亿韩元，环比激增49%，同比增长29%。三星电子指出，在PC和移动设备存储容量需求提升以及IT行业对生成式人工智能投资扩大的驱动下，服务器市场需求显现复苏迹象，其存储业务整体市况已较前一季度显著回升。尽管2024年市场仍存在不确定性，但三星电子坚信存储业务将持续复苏态势。
SK海力士则成功扭亏为盈，2023年第四季度合并收入11.3055万亿韩元，营业利润达到0.3460万亿韩元。得益于DDR5和HBM3产品收入同比分别增长超过4倍和5倍，公司实现盈利逆转。着眼未来，SK海力士计划于2024年加大高性能DRAM的研发与生产力度，量产用于AI的存储器HBM3E，并推进HBM4的研发工作，同时将DDR5和LPDDR5等高规格产品深入应用于服务器和移动端市场。美光科技FY2024Q1财报显示，公司超越市场预期，实现营收47.3亿美元，毛利率稳定在1%，净利润虽为-10.5亿美元，但亏损明显收窄。美光科技预计2024年消费电子市场需求将恢复活力，尤其在AI PC和HBM需求带动下，存储器价格将迎来强劲上涨。CEO Sanjay Mehrotra透露，由于生成式AI热潮引发云端高性能AI芯片对HBM的旺盛需求，美光科技2024年的HBM产能已提前售罄。
半导体周期触底反弹，存储板块领涨
结合当前市场状况及各大存储厂商财报数据，分析机构预测半导体行业已进入触底反弹阶段，2024年有望迎来全面修复反弹，而存储板块有望成为率先启动上行的细分领域。集邦咨询研报数据显示，DRAM和NAND闪存合约价自2023年第四季度开始止跌回升，预计2024年第一季度两者价格涨幅约18%，其中DRAM合约价季涨幅预估在13%~18%，NAND Flash则为18%-23%。国开证券同样认为，终端需求逐步改善将推动存储行业先行复苏。
人工智能驱动存储业变革
新兴的人工智能需求被视作此次存储行业复苏的关键驱动力。SK海力士财报强调，人工智能服务器需求的增长促使2023年ASP上升，HBM3销量较上年同期翻了四倍多。2024年将继续大规模生产HBM3E并研发HBM4，以满足市场对高性能DRAM的需求增长。三星电子也表示将专注销售包括HBM3和服务器SSD在内的高附加值产品，持续优化盈利能力。
摩根士丹利证券报告进一步指出，随着5G、物联网技术普及，AI PC、智能手机等智能终端将有力拉动存储器需求爆发。预计到2025年，AI PC中的DRAM搭载容量将翻一番，下一代智能手机中的DRAM搭载量将增加超过50%，边缘AI装置的DRAM搭载容量也将增长6.7%。
应对新需求，大厂发力先进技术研发
面对AI及移动智能设备带来的新兴市场需求，存储大厂正大力投入先进节点、3D DRAM及高密度闪存方案的研发。3D DRAM因其可增大存储容量、提高访问速度、降低功耗和提升可靠性等特点，成为了DRAM领域的研发重点。三星电子和SK海力士已着手加大3D DRAM研发投入，前者已开发出业界首个12层3D-TSV技术，并宣布在新一代10纳米或更低制程DRAM中引入新的3D结构；后者则选择IGZO作为3D DRAM的新一代通道材料，以降低待机功耗。
在NAND闪存层数竞赛方面，三星电子成功开发出280层V9 QLC NAND闪存，将于今年量产，存储密度高达每平方毫米28.5Gb，传输率最高可达3.2 Gbps。美光和SK海力士紧随其后，层数均突破200层，且均有意向研发300层以上的3D NAND产品。其中，SK海力士更是展示了全球首款321层NAND闪存样品，计划于2025年实现量产。三星电子目标在2030年前实现V-NAND堆叠至1000多层，铠侠和西部数据也在努力研发更高层数的3D NAND产品。
