导语：
    瑞利判据，这枚光刻机技术皇冠上的明珠，长久以来被全球光刻产业界视为不可逾越的“金科玉律”，而挑战这一极限的学术研究如雨后春笋般涌现，成千上万篇关于突破瑞利判据的理论与实验论文孕育出了众多全球高被引科学家。如今，在EUV（极紫外）光刻时代已经触及2nm制程节点之际，我们不禁要问：BEUV（超越极紫外）光刻机是否会成为光刻技术的终极篇章？而在通往商业化进程中，BEUV光刻机又将面临哪些艰巨挑战？
    前言：
    芯片，现代工业社会中的“粮食”，信息产业的基石，自集成电路诞生至今，其产业链已深深植根于国民经济的战略性、基础性和先导性地位中，渗透至生活各领域，无论是C端消费市场的手机、家电、汽车，还是B端业务领域的医疗设备、电力系统、交通设施、电信通讯乃至国防装备中的卫星、导弹和航母，无一不依赖于微小却强大的芯片。
    在芯片制造流程中，光刻工艺扮演着决定性角色，它直接决定了芯片的最小线宽和半导体器件的特征尺寸，进而影响着芯片的制程水平和性能表现。在芯片生产成本中，光刻环节占比高达30%，耗时约40-50%，足见其技术难度之大、投入之巨。
    其中，光刻机作为芯片生产线的核心设备，投资占比约为20%，汇聚了物理学、精密光学、仪器制造、化学、数学、材料科学、自动控制等多学科精华，历经六十余载磨砺，不断突破人类超精密制造的边界，被誉为“现代光学工业瑰宝”和芯片产业巅峰之作。
    当前，遵循瑞利判据的光刻机发展已步入高数值孔径NA的EUV光刻纪元，制程可至2nm以下，并预计将于2025年开始大规模量产。然而，当后NA EUV时代的帷幕拉开，BEUV光刻机是否将登上光刻技术的终极舞台？
    追溯瑞利判据的历史源起，我们必须回望乔治·比德尔·艾里、恩斯特·阿贝及瑞利三位科学巨匠的研究成果。从艾里揭示衍射极限概念到阿贝提出光学衍射分辨率公式，再到瑞利进一步完善并确立“瑞利判据”，这些奠基性的工作为光刻技术设定了物理法则般的标准。
    随着EUV光刻机波长缩短至13.5nm，进入高NA时代，人们开始关注后NA EUV光刻机的发展走向以及BEUV光刻机的可能性。BEUV光刻机理论上凭借更短的6.X nm波长带来更大的焦深，从而增强工艺容忍度，似乎预示着超越EUV的新一轮技术飞跃。
    然而，BEUV光刻机的商业化道路并非坦途，其面临着光源转换效率低、多层膜反射率不足、光刻胶随机效应严重等一系列技术难题。尽管BEUV光刻机能够借鉴EUV光刻机的研发经验，但要在技术上取得实质性突破，实现商业化应用，还需科研人员克服重重难关。
    综上所述，虽然瑞利判据长期以来一直是光刻机研发的根本原则，且有数以万计的研究尝试打破这一壁垒，但在实际应用层面，传统遵循瑞利判据的显微镜技术依然占据主导地位。同时，EUV光刻机虽已取得显著进步，但面临诸如曝光场尺寸限制等问题。未来，BEUV光刻机或将成为延续摩尔定律的关键选择之一，但其技术成熟度、商业化前景及其对摩尔定律演进的实际意义仍有待观察。在这场光刻技术革命的浪潮中，ASML公司凭借其在EUV领域的领先地位，无疑将在BEUV光刻机的研发竞赛中占据先发优势。