ASML高数值孔径EUV光刻机,首次曝光,超精准显像!

2024-02-29 热点资讯 关注公众号
    【科技前沿】近日,英特尔技术开发部门的领军人物Ann Kelleher,在圣何塞举行的SPIE光刻会议上透露了一项重大突破——英特尔已携手ASML在尖端的高数值孔径(High NA) EUV光刻机上完成了里程碑式的“初次曝光”。这一消息得到了ASML的官方证实,接下来他们将对系统进行深度测试和调校,以充分发挥其潜在性能。
ASML 高数值孔径 High NA EUV 光刻机实现“初次曝光”    那么,“初次曝光”背后蕴藏着怎样的深意?在半导体制造领域,“初次曝光”意味着光刻系统成功地首次将光线图案精确投射到晶圆表面,标志着该系统的功能性验证阶段基本完成,预示着更深入的技术验证与优化阶段即将启动。
ASML 高数值孔径 High NA EUV 光刻机实现“初次曝光”    这次进展的重大意义在于,高数值孔径EUV光刻技术被视为下一代芯片制造的核心关键技术之一。它能够在微缩至极限的芯片尺寸上雕刻出更为精细复杂的电路结构,从而赋予芯片更强的运算能力和更高的能效比。
ASML 高数值孔径 High NA EUV 光刻机实现“初次曝光”    ASML实现“初次曝光”的突破,昭示着其在该项关键技术的研发道路上取得了决定性的进步,这将极大地助推下一代芯片研发进程的步伐。
    本月早些时候,ASML揭幕了其下一代高数值孔径极紫外(EUV)光刻机——High-NA Twinscan EXE,售价高达约3.5亿欧元(按当前汇率折合约27.37亿元人民币),远超目前市场上主流EUV光刻机约1.7亿欧元(约13.29亿元人民币)的价格区间,具体价格会根据型号配置的不同而有所差异。
    据ASML披露,包括英特尔、SK海力士在内的多家行业巨头已提交了“10到20”台High-NA Twinscan EXE光刻机的订单,并预计到2028年,ASML将每年稳定生产20台此类超级设备。
    未来五年内,包括台积电、三星等全球领先的先进芯片制造商均计划引进此款高科技装备。其中,英特尔上周明确表示,将在Intel 14A节点的生产线上应用这一先进技术。
    值得一提的是,ASML的这款High-NA Twinscan EXE光刻机堪称该公司技术实力的巅峰之作。每台设备重达150吨,相当于两架空客A320客机的总重量,需要动用250个集装箱进行运输,抵达客户现场后还需由250名工程师耗费六个月的时间进行精密组装。
    目前,世界上首台高数值孔径设备坐落在荷兰埃森·利特菲尔德实验室,而第二台则正在美国俄勒冈州希尔斯boro附近的一家英特尔工厂紧锣密鼓地进行组装工作。这项科技成果不仅刷新了光刻技术的新高度,更预示着全球半导体产业即将步入一个全新的微细加工时代。

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三星电子宣布将在2025年初引进ASML的首台高NA EUV光刻机,并计划将其与英特尔和台积电等竞争对手进行商业化的研发竞争。此款新设备预计将于明年中旬投入研发使用,但目前尚需等待先进制程路线图规划到特定节点才能实现。而 SK海力士也在努力争取在2026年引入首台高NA EUV光刻机。

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