台积电:2027年推出12个HBM4E120x120mm芯片,刷新3D数据密度记录

2024-04-28 热点资讯 关注公众号
台积电:2027年推出12个HBM4E120x120mm芯片,刷新3D数据密度记录
台积电正在研发CoWoS封装技术下个版本,可以实现120x120mm的超大封装,功耗可达千瓦级别,并计划2026年产新一代CoWoS_L,最多可封装4719平方毫米的空间,支持6864平方毫米的存储空间。
台积电:2027年推出12个HBM4E120x120mm芯片,刷新3D数据密度记录

台积电:2027年推出12个HBM4E120x120mm芯片,刷新3D数据密度记录
随着科技的进步和市场需求的变化,电子产品不断升级换代,尤其是内存的需求也在不断提高。尤其是在8GB、16GB等大容量的移动设备中,内存被越来越多地采用高密度、小容量的碳化硅(COS)封装技术。
台积电:2027年推出12个HBM4E120x120mm芯片,刷新3D数据密度记录
目前市面上已有一些面向高性能应用的高密度、小容量碳化硅封装产品,但其体积庞大,功耗过高。为了降低功耗,提升用户体验,台积电正在研发CoWoS封装技术下个版本,有望在2026年之前实现120x120mm的超大封装,功率可达千瓦级别,并计划在未来几年内逐步推出新一代CoWoS_L产品,封装能力将突破4719平方毫米。
台积电:2027年推出12个HBM4E120x120mm芯片,刷新3D数据密度记录
CoWoS封装技术是一种非常高效的碳化硅封装方式,其封装面积小、功耗低、性能稳定。目前,已有不少半导体公司采用了这种封装技术,如索尼、松下、富士通等。
然而,CoWoS封装技术也有其局限性,例如封装速度较慢,对环境要求较高等。因此,台积电正在进行研发新的CoWoS封装技术下个版本,旨在解决这些问题。
这项研发预计会耗费数年的时间和大量的人力物力,但一旦成功,将会带来革命性的变化。据悉,新型CoWoS封装技术下个版本的封装面积将达到120x120mm,这将大大缩小手机等设备的体积,使其更轻薄、更便携。
此外,新型CoWoS封装技术下个版本还将在功耗方面有重大突破。目前,CO WoS封装技术虽然能提高封装效率,但功耗仍然偏高。而新型Co WoS封装技术下个版本将进一步优化设计,降低功耗。
除了降低功耗外,新型Co WoS封装技术下个版本还将提供更高的存储能力。据透露,新型Co WoS封装技术下个版本将实现6864平方毫米的存储空间,这将远超过现有的产品。
总的来说,台积电正在研发的新一代CoWoS_L产品具有许多优势,包括体积更小、功耗更低、存储能力更强等。这些产品将为用户提供更加高效、便捷的生活体验。同时,这些产品的研发也将推动整个半导体行业的发展,为更多的消费者带来更好的选择。

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