三星电子宣布将在 2025 年前进入 3D DRAM 内存时代，业界率先实现了线宽缩至 10nm 以下。相较于传统晶体管，垂直通道晶体管减少了器件面积占用，同时提高了对刻蚀工艺精度要求；与传统 2D DRAM 结构相比，堆叠 DRAM 利用了 z 方向空间，提升了单芯片容量和性能。预计到 2028 年，3D DRAM 市场将达到 1000 亿美元，并在与主要内存制造商的竞争中崭露头角。三星在内存领域的创新布局旨在引领行业发展，缩小技术差距。
三星电子加速3D DRAM迈进内存新纪元
在近年来的科技发展大潮下，一项关键的技术突破——3D DRAM（垂直通道深度存储器）的应用已在全球范围内引起广泛关注。凭借其强大的生产工艺优势和优异的产品性能，三星电子近日宣布，将在2025年前实现线宽缩至10nm以下，这标志着其在这一新兴领域的发展取得了显著进展。
传统的DRAM（动态随机存取存储器）架构采用的是二维多层结构，每个DRAM单元由若干层存储介质组成，通过沟槽连接在一起，构成一个纵向存储阵列。然而，随着需求的提升和硬件成本的降低，二维DDR逐渐被3D-DDR所替代。与之不同，3D-DDR采用了垂直通道概念，即在一个DRAM芯片内部存在多个水平方向的垂直通道，这些通道直接与上下相邻的DRAM单元相连，形成了类似“正方形”般的立体结构。
这种垂直通道架构相较于传统的二维结构具有显著的优势。首先，垂直通道晶体管减少了器件面积占用，有助于优化芯片设计和制造流程。相比于传统的三维图形处理器（GPU），垂直通道晶体管更易于集成、散热以及提高封装效率，从而减少占地面积和降低成本。此外，垂直通道晶体管也大幅降低了数据访问速度，因为它们可以利用垂直通道进行更快的数据传输和快速数据读取，进一步提升了系统的响应时间和整体运行效能。
值得一提的是，与传统的2D DDR相比，堆叠式DRAM使用了z方向空间，使得同一片DRAM芯片上可以容纳更多的独立存储单元，提高了单芯片容量。这不仅意味着更高密度的数据存储，而且对于满足大规模数据集的需求尤其有帮助。例如，采用堆叠式DRAM设计的服务器主频可达7-9GHz，而一个传统的2D DDR主频一般在3.6GHz左右，这意味着堆叠式DRAM可以在同等功耗条件下提供更高的计算能力和存储能力。
三星对此项技术布局的初衷是显而易见的：为了引导行业的发展，缩小技术差距。未来，随着3D-DDR在移动设备、数据中心、人工智能等众多领域的广泛应用，其市场潜力将不可估量。据预测，到2028年，3D-DDR市场规模将达到1000亿美元，展现出强劲的增长势头。三星作为全球领先的半导体厂商之一，深知这一巨大的市场需求所带来的机遇，因此一直在积极布局，投入研发资源，致力于开发出更加高效、高性能且成本效益高的3D-DDR产品。
总结而言，三星电子的这项决定表明，他们不仅在内存技术研发方面走在前沿，还在推动整个半导体产业向着更加高效的生产模式、更低的成本和更高的用户体验转变。这一里程碑式的突破将引领未来的内存技术发展，有望在智能手机、数据中心、自动驾驶等领域发挥重要作用，进一步缩小技术间的鸿沟，为我们的日常生活带来更优质的信息存储体验。在未来的发展道路上，我们期待三星能够在不断超越自我，持续创新，为全球消费者带来更多优秀的产品和服务。