【IT之家 3月4日热点聚焦】全球存储芯片巨头三星正在积极研究下一代DRAM技术，探讨将模压填充（MUF）工艺应用其中的可行性。据权威科技媒体TheElec报道，三星最近对3D堆栈(3DS)内存采用了一种名为MR MUF的先进工艺进行测试，并取得显著成果。尽管相较于传统TC NCF技术在吞吐量上有所提升，但在物理特性方面出现一定挑战。
    经过一系列严谨测试与分析，三星发现MUF技术对于高带宽内存(HBM)并不适用，然而却与3DS RDIMM有着极高的契合度。当前，3DS RDIMM主要依赖硅通孔(TSV)技术生产，被广泛应用在服务器领域。MUF技术通过在半导体上精密打孔，注入特殊材料以连接上下层半导体，实现垂直堆叠芯片的稳定固定和高效互联，其创新性不容小觑。
    值得注意的是，三星先前在其注册双列直插式内存模块(RDIMM)中已成功运用了热压非导电膜(TC NCF)技术，而MUF则是由SK海力士率先引入到高带宽内存HBM制造中的关键技术——Mass Re-flow Molded Underfill(MR-MUF)。
    进一步探究，MUF实质是一种环氧树脂模塑化合物，在SK海力士成功将其应用于HBM生产后，引起了芯片行业的广泛关注。业界普遍认为，MUF材料在防止晶圆翘曲问题上展现出了明显优势，有望引领行业变革。
    据悉，SK海力士所使用的MUF化合物是由Namics合作开发的。而有消息人士透露，三星正计划携手子公司三星SDI共同研发自家的MUF化合物，并已着手订购用于MUF应用的必要模压设备。
    作为全球存储半导体产业的领头羊，一旦三星全面导入MUF技术，该技术极有可能成为业界主流，从而引发半导体材料市场的深度革新。但针对这一内部技术战略的传闻，三星电子相关负责人回应表示“目前无法予以确认”。然而，这一潜在的重大技术转向无疑为全球半导体市场带来了新的期待与挑战。