IT之家 3 月 22 日消息，消息源 @Tech_Reve 近日发布推文，表示三星 3nm 工艺初期良率为 10-20%，近期已提高了 3 倍多，但相比较采用 FinFET 技术的台积电，其良率依然偏低。

消息源表示三星寄希望于第二代 3nm 技术，性能，功耗和面积（PPA）指标相当于台积电的 N3P 工艺。知情人士透露三星第二代 3nm 工艺与 4nm FinFET 技术相比，能效和逻辑面积提高了 20-30%。

IT之家此前报道，三星计划今年下半年量产第二代 3nm 工艺。三星电子 DS 部门下属 Foundry 业务部负责人崔时荣表示三星的第二代 3nm 和首代 2nm 是两个不同的工艺，此前收到日本 AI 企业 Preferred Networks 的 2nm AI 芯片订单，也是三星的首个 2nm 订单。

根据以上信息，我们可以看出三星在 3nm 技术的研发上取得了显著的进步，但目前仍存在良率偏高的问题。这表明三星需要继续研发和改进自己的工艺技术，以提高良率。
另外，三星在芯片制造方面也面临着巨大的竞争压力。除了面临自家竞争对手台积电的竞争，还面临着来自外部AI芯片厂商的竞争。因此，三星需要不断创新，提升自身的产品质量和服务水平，以保持自身的竞争优势。
此外，三星还可以考虑与其他芯片制造商进行合作，共享研发资源和技术优势，共同推动半导体行业的进步和发展。例如，可以尝试与其他公司一起开发更先进的3nm工艺技术，或者与AI芯片厂商建立合作关系，共同开发出更好的AI芯片。
总的来说，三星需要加大技术研发力度，持续优化自己的工艺技术，以满足市场的需求和挑战，保持自身在全球半导体市场的领先地位。同时，也需要加强与其他公司的合作，以共享研发资源和技术优势，共同推动半导体行业的进步和发展。