IT之家 3 月 21 日消息，意法半导体（STMicroelectronics）宣布与三星联合推出 18nm FD-SOI 工艺。该工艺支持嵌入式相变存储器（ePCM）。

IT之家注：FD-SOI 即全耗尽型绝缘体上硅，是一种平面半导体工艺技术，可以较简单的制造步骤实现优秀的漏电流控制。

意法半导体表示，相较于其现在使用的 40nm eNVM 技术，采用 ePCM 的 18nm FD-SOI 工艺大幅提升了性能参数：其在能效上提升了 50%，数字密度上提升了 3 倍，同时可容纳更大的片上存储器，拥有更低的噪声系数。

该工艺能够在 3V 电压下提供多种模拟功能，包括电源管理、复位系统等，是 20nm 以下制程中唯一支持这些功能的技术。

同时，新的 18nm FD-SOI 工艺在抗高温、抗辐射等方面也有出色表现，可用于要求苛刻的工业应用。

意法半导体首款基于该制程的 STM32 MCU 将于下半年开始向选定的客户出样，并计划于 2025 年下半年量产。

总结：
本次合作标志着两个业界领先公司的共同努力，旨在推动半导体技术的进步。意法半导体开发出的 18nm FD-SOI 工艺相比当前常用的 40nm eNVM 技术，有着显著的优势，包括更高的能效、更高的数字密度和更大的片上存储器容量，以及更少的噪声。
对于行业而言，这个突破性的工艺将开启全新的发展路径。它可以帮助企业降低成本、提高效率，增强产品竞争力。这对于全球半导体市场来说是一个巨大的机会，因为越来越多的企业将目光投向这个领域。
然而，值得注意的是，这种新型工艺也面临一些挑战。例如，如何确保其能够稳定工作在各种温度和辐射环境下，这是需要解决的关键问题。此外，如何确保工艺的质量和可靠性也是需要考虑的问题。
总的来说，虽然存在一定的挑战，但这项新技术的发展无疑为半导体行业的未来发展带来了积极的信号。期待未来在工艺、技术和市场的不断进步中，我们可以看到更多的创新和发展。