IT之家 3 月 21 日消息，美光在发布季度财报后举行了电话会议。在该会议上美光 CEO 桑杰・梅赫罗特拉（Sanjay Mehrotra）表示，相对于传统内存，HBM 对晶圆量的消耗明显更高。

美光表示，在同一节点生产同等容量的情况下，目前最先进的 HBM3E 内存对晶圆量的消耗是标准 DDR5 的三倍，并且预计随着性能的提升和封装复杂度的加剧，在未来的 HBM4 上这一比值将进一步提升。

参考IT之家以往报道，这一高比值有相当一部分原因在 HBM 的低良率上。HBM 内存采用多层 DRAM 内存 TSV 连接堆叠而成，一层出现问题就意味着整个堆栈报废。目前 HBM 的良率仅有约 2/3，明显低于传统内存产品。

目前，由于 AI 领域的蓬勃发展，热门产品 HBM 一直处于供不应求的状态。SK 海力士今年的 HBM 产能已经售罄，三星也早已完成了今年大部分产能的配额谈判。梅赫罗特拉此次更是进一步表示，美光的 HBM 产能连明年的都基本被预定完毕。

HBM 的高需求，加之其对晶圆的高消耗，挤压了其他 DRAM 的投片量。美光表示非 HBM 内存正面临供应紧张的局面。

此外，美光宣称其 8Hi HBM3E 内存已开始大批量出货，可在截至 8 月末的本财年中贡献数亿美元的收入。

对于 12 层堆叠 36GB HBM3E，梅赫罗特拉表示这一未来产品已于本月初完成采样，目标到 2025 年实现大批量生产。

总结：虽然高容量、高性能是 IT 市场的新趋势，但同时高成本和供不应求的现状也让产品竞争愈发激烈。尤其对于存储业来说，HBM 内存因其独特的性能优势，依然占据着重要的地位。
建议：
1. 在产品研发方面，应加强技术创新，降低 HBM 内存的良率风险，提高产品质量。
2. 在市场推广方面，要加大宣传力度，提高消费者对 HBM 内存的认知度和接受度。
3. 在资源配置方面，要考虑供应链稳定性和成本效益，确保能够满足市场需求的同时，又能保证企业的利润。
4. 对于未获得投资的 12 层堆叠 36GB HBM3E，企业应提前做好市场调研和规划，制定合理的生产计划，以期在未来抢占市场份额。