【Part 1：中国碳化硅市场现状与技术解析】
中国碳化硅（SiC）衬底市场价格在2024年出现大幅下滑趋势，其降价幅度远超全球其他地区，主要是由于国内供应商间的激烈竞争导致原本稳定的SiC衬底价格下调。目前国际主流6英寸碳化硅衬底报价仍保持在750~800美元之间，而中国厂商的价格已下降近30%，并且随着产能的进一步释放，预计这一降幅还将持续。
碳化硅单晶衬底作为宽禁带半导体的关键材料，具有耐高压、高温、高频和低损耗等优越性能，适用于大功率电力电子器件及微波射频器件制造。其制备工艺主要包括物理气相传输法（PVT法）、高温化学气相沉积法（HTCVD法）等，其中PVT法已成为产业化批量生产的主流技术，依赖于台阶流动生长模式以实现对晶体尺寸和晶型的精准控制。
据Yole预测，到2026年全球SiC功率器件市场规模将达49亿美元，年复合增长率高达35%。尽管国际巨头如意法半导体、英飞凌等在市场份额上占据领先地位，但中国本土供应商正通过扩大产能并降低价格，意图打破现有市场格局。
【Part 2：价格战开启，国产SiC迎春天】
当前，中国电动汽车制造商及国际半导体IDM厂商对碳化硅元件的需求旺盛，然而，本土供应商产能过剩的现象已经显现。部分中国碳化硅企业透露，尽管力求增加本土供应链采购比例，但由于安全性和可靠性考量，一些电动汽车制造商并未大幅度提高本土供应占比，这使得自给率未达到预期水平。值得关注的是，一线中国碳化硅供应商近期已将价格下调近30%，且随着新增产能的逐步投产，市场价格可能将进一步走低。这意味着一场围绕碳化硅衬底的价格战即将爆发，这对于下游应用领域特别是新能源汽车和光伏储能行业而言，无疑预示着成本更低、性能更优的800V SiC器件时代即将到来。
简言之，在市场需求和技术进步的双重驱动下，国产SiC衬底价格正迅速滑落，不仅为中国半导体产业带来新的发展机遇，也将在全球范围内重塑碳化硅市场的竞争格局。
