本地硅互连（LSI）芯片和全域再分布层（RDL），通过形成重组interposer层（RI），可以取代CoWoS-S中的单片硅interposer层，从而提高了CoWoS-S封装性能。 另外，CoWoS-L在RI中引入了穿绝缘体通孔（TIV）作为垂直互连，提供了比TSV更低的插入损耗路径。这项新技术已经成功进行了演示，并显示出了稳定可靠的性能。 根据eDTC的优势，CoWoS-L在相同缺陷密度的晶圆制造工艺条件下，eDTC的利用变得更加高效。这表明CoWoS-L具有更高的良率和更长的产品寿命。

随着物联网、人工智能等新兴领域的发展，封装技术变得越来越重要。其中，Si互连（LSI）芯片和全域再分布层（RDL）的研发与应用引起了广泛关注。本文将深入探讨这些创新技术，以及它们如何提升封装性能。
LSI芯片是一种将电子元件封装在一个特定芯片上的方法，用于存储和处理数据。相比传统的封装载置技术，LSI芯片的集成度更高，功耗更低，而且更容易进行大规模生产。因此，LSI芯片在多个领域都有广泛的应用，如智能手机、电脑、汽车电子设备等。
全域再分布层（RDL）则是指将整个芯片划分为若干模块，然后在其内部添加各自的通信功能，实现组件间的共享和协同工作。这种方法可以提高封装效率，降低能耗，同时减少体积和重量，便于部署和使用。
为了进一步提升封装性能，一项名为"重组interposer层（RI）"的技术应运而生。这种新的封装技术利用了一个可穿戴的模拟单元，该单元位于距离接口的位置，并具有连接不同的晶体管的功能。这样，通过重新排列和组合不同类型的IC，就可以实现多种功能，大大降低了封装空间的需求。
另一方面，全球领先的半导体制造商如Intel和SiFive已经开始采用穿绝缘体通孔（TIV）技术，以提高单片硅掩蔽层的插入损耗路径。这项新技术的出现使得功率传输更加高效，且减少了信号干扰的可能性。
尽管以上技术都取得了显著的效果，但还需要进一步优化和完善。例如，需要开发出更高效的混频器，以确保整个系统的稳定性和可靠性；需要进一步研究和开发新型封装材料，以满足更高的性能需求。
综上所述，LSI芯片和全域再分布层（RDL）是未来封装技术的重要发展方向。通过改进现有技术和研发新技术，我们有望在未来几年内看到更多有竞争力的封装解决方案。同时，随着封装技术的不断进步，我们可以期待各种智能设备、智能系统和服务的到来，让我们的生活变得更加便捷、智能和高效。