3月13日最新消息，在最近召开的2024 SEMI International Strategy Symposium上，半导体权威研究机构TechInsights揭示了一场尖端制程技术的较量，台积电、英特尔与三星三大巨头的工艺实力被置于聚光灯下。报告指出，台积电的3nm制程在性能表现上可能超越了英特尔即将推出的Intel 18A。
    据悉，英特尔预计在今年下半年启动Intel 18A的大规模量产，并计划于明年投放市场相关产品，然而其并未公开该制程的具体能耗数据。根据TechInsights发布的数据显示，台积电3nm（N3）及强化版N3E的晶体管密度分别高达283MTx/mm²和273MTx/mm²，明显优于英特尔Intel 18A的195MTx/mm²。尽管Intel 18A采用了创新的背面供电技术，有助于降低能耗，但要实现对台积电3nm性能的大幅度赶超仍显困难。
    除了直面英特尔的挑战，三星率先跨入GAA构架Nanosheet制程领域，意图通过弯道超车战略挑战台积电的领先地位。但在比较晶体管密度、性能以及能耗等关键指标后发现，同年制程节点下，三星的表现均略逊一筹；台积电的晶体管密度更是达到了三星的1.5倍以上；而在先进制程客户数量方面，台积电的优势也极为显著，远超三星。
    在台积电近期的法说会上，官方宣布2nm制程将于2025年下半年实现量产，而3nm家族则将持续扩大并推出强化版，如N3E已于2023年第四季度顺利量产，后续还将有N3P和N3X接踵而至。随着AI需求的激增以及节能运算需求的快速增长，3nm系列芯片的营收占比有望进一步提升。
    另一边，英特尔在IFS Direct Connect大会上披露了其“四年五节点”战略中的最后节点Intel 18A制程之后的发展蓝图，公布了包括Intel 14A-E在内的新制程节点及数个专业节点强化版。按照目前的规划，Intel 14A最快将于2026年开始量产，而Intel 14A-E则需等到2027年，但具体的产品发布信息尚未公布。
    此外，三星作为全球首家采用全栅极（GAA）构架实现3nm量产的厂商，在2022年6月底率先打破了技术壁垒，并计划在2024年量产第二代3nm，2025年步入2nm时代。近日，三星向客户和合作伙伴发出通知，决定将第二代3nm更名为2nm。据韩国业界人士透露，已接到三星通知，原定于2023年签订的关于第二代3nm的合作协议也将随之调整为2nm，并将在近期重新拟定合约。
    ：芯智讯-浪客剑