2023年第四季度，全球DRAM市场迎来了一场势不可挡的逆袭风暴。据TrendForce权威数据显示，该季度全球DRAM产业总营收达到174.6亿美元，环比劲增29.6%，展现出强劲的复苏态势。其中，力积电（PSMC）以惊人的110%季增长率脱颖而出，成为增长幅度最大的厂商。
回溯至一年前的2022年第四季度，DRAM市场则是一片萧条景象，全球DRAM产业营收仅为122.8亿美元，季度跌幅高达32.5%，与金融危机时期相当，而造成这一颓势的主要原因是DRAM产品平均销售单价（ASP）的大幅下滑。当时，六大头部厂商无一幸免，营收环比均为负增长，其中最高跌幅达41.2%，市场整体表现惨淡。
然而，从“哀鸿遍野”到“凤凰涅槃”，全球DRAM市场的六大巨头在2023年底成功实现逆转，全面实现了营收正向大幅增长的壮举。三星电子在经历2022年四季度的寒冬后，于2023年四季度凭借1α nm制程DDR5芯片出货量的激增，服务器DRAM位元出货量季度增长超60%，其DRAM业务营收猛增至79.5亿美元，季增长率超过50%，成为三大原厂之冠。同时，产能规划方面，三星电子通过减产去库存、提升利用率，预计下半年旺季产能将持续提升。SK海力士也在逆境中奋起，在2023年第四季度实现营收55.6亿美元，环比增长20.2%，主要得益于HBM和DDR5的价格优势以及高容量服务器DRAM模组带来的收益，平均销售单价季度增长约17%-19%。并且，SK海力士积极扩张HBM产能，随着HBM3E量产，先进制程投片量将持续上升。
美光虽增幅相对较低，但在2023年第四季度依靠出货位元和ASP分别季增4%-6%，实现了营收从低谷中的33.5亿美元回升，季增长率为8.9%。尽管未能充分利用AI服务器浪潮，但美光已调整产能规划，将增加1β nm制程产能比重，聚焦生产高端内存产品。
南亚科和华邦亦在2023年第四季度实现了两位数的营收季增长率，分别为12.1%和19.5%，显示出显著的回暖迹象。力积电更是实现了高达110%的环比营收增长，若计入代工业务，则合计营收季增11.6%，表现尤为抢眼。
总的来看，六大厂商在经历了2022年第四季度的全面负增长后，于2023年同期均转为大幅度正增长，整体营收涨幅高达221%，标志着DRAM市场的彻底反转。
【三巨头竞逐先进制程研发与量产赛道】
在全球DRAM市场上，三星电子、SK海力士和美光仍占据主导地位，尤其在AI服务器引领行业发展的当下，他们通过持续投入高技术含量内存产品的研发和制造，不断巩固自身市场地位。
目前，三巨头都在大力推动10nm级以下的DRAM技术研发，包括第四代1α nm和第五代1β nm制程，旨在生产HBM、DDR5及LPDDR5等尖端内存产品。自2016年以来，制程节点经历了从1X(16-19nm)、1Y(14-16nm)到1Z(12-14nm)阶段，如今正在向更先进的1α、1β（10-12nm）乃至1γ（约10nm，强化版1β）工艺迈进。其中，相较于1α制程，1β在16Gbit容量下能效提升约15%，内存密度提高超过35%。
三星电子在DRAM技术研发领域继续保持领先姿态，计划于2023年进入1β工艺阶段，生产第五代10nm级DRAM产品，单颗芯片容量可达24Gb-32Gb，并在2022年开发出首款采用12nm级制程的32Gb DDR5 DRAM，携手AMD完成了兼容性评估。此外，三星宣布将于2026年推出DDR6内存，并在2027年实现10Gbps的内存原生速度。
SK海力士同样不甘示弱，不仅将其1α制程DDR5服务器DRAM应用于英特尔第四代至强可扩展处理器并获得业界首张认证，还在2023年5月完成了1β技术的研发工作，使得相比1α DDR5，功耗降低了20%。该公司拟在2024年上半年使用1β工艺生产LPDDR5T、HBM3E等高性能产品，并积极与台积电合作开发第六代HBM——HBM4，进一步扩大HBM生产线投资，计划在未来将硅通孔(TSV)相关产线产能翻倍，于2024上半年启动HBM3E的量产。
为了加快高端内存产品的研发和量产进程，SK海力士将在今年引入8台EUV光刻机，大幅提升EUV光刻能力，使其拥有的EUV光刻机总数达到13台。与此同时，三星和SK海力士还着眼于封装材料领域的技术创新，考虑在其下一代DRAM中应用模压填充（MUF）技术，以提高生产效率和产品性能。
最后，美光也加快了先进制程的研发步伐。2022年率先进入1β节点，并开始对下一代1γ制程工艺进行初步设计。2023年正式量产1β DRAM，覆盖多种内存解决方案，包括DDR5 RDIMM和MCRDIMM、LPDDR5X、HBM3E和GDDR7。美光透露，计划于2025年量产1γ DRAM，并已在台中具备EUV设备的产线开启生产。
近期，美光宣布已开始量产HBM3E内存，供货给英伟达，用于NVIDIA H200 Tensor Core GPU，数据传输速度高达1.2TB/s。此外，美光还展示了其独特的战略路径，计划采用日本佳能公司的纳米压印技术（NIL），以降低成本并提高生产效率，虽然无法完全替代EUV在DRAM生产线上的作用，但有望部分取代并优化生产流程。
综上所述，全球DRAM市场历经低迷后于2023年下半年强势反弹，各大厂商尤其是行业三巨头在市场需求和先进工艺技术双轮驱动下加速产品研发和市场布局。未来两三年内，这种竞争格局预计将持续升温，市场份额差距可能进一步拉大，凸显DRAM市场新一轮繁荣期的到来。
