三星电子已经确认将在平泽 P4 工厂建设 1c nm DRAM 内存产线，预计明年6月投入运营。这是三星继 NAND Flash 和 Logic代工之后，第七代 20~10nm 级内存工艺的再次尝试，有望大幅提升 HBM4 内存的能效竞争力。此外，此举也可能为潜在的 HBM4 生产需求做准备。

1. 三星电子在平泽工厂投入建设1c纳米DRAM内存生产线的消息，标志着该公司在其7代20-10nm级内存工艺的继续探索和应用。

据悉，这项计划是在平泽工厂建立一条全新的1C纳米 DRAM生产线，主要用于生产HBM4内存。这意味着，三星将进一步提升其HBM4内存的能效竞争力。
此外，三星还表示，这次投资将有助于准备未来的HBM4生产需求，并有可能推动潜在的HBM4生产需求。
2. 对于此次投资，三星电子称，他们相信1C纳米技术可以提供更好的性能和更低的功耗，从而提高HBM4内存的能效竞争力。
3. 作为一家在全球范围内具有影响力的公司，三星电子一直致力于创新和发展，不断推出更先进的技术和产品。他们此次的投资也是为了满足市场需求，进一步巩固其在全球内存市场的地位。
总结
三星电子正在继续扩大其内存业务的研发力度，通过在中国平泽工厂建立新的1C纳米 DRAM生产线，将进一步提升其HBM4内存的能效竞争力。同时，这也将为未来的HBM4生产需求做好准备，推动潜在的HBM4生产需求的发展。总的来说，三星电子此次的投资是一项非常重要的举措，对于其全球内存市场的发展有着积极的影响。