近日，在羊城晚报两会直播间中，格力电器董事长兼总裁董明珠披露了一项重大投资项目：格力电器正向第三代半导体的高性能前沿领域挺进，投资近百亿元建设一座碳化硅芯片工厂。这座备受瞩目的芯片制造基地不仅是全球第二座全自动化化合物芯片工厂，更是亚洲首屈一指的此类高科技产线，预计今年6月即可正式投入生产。
据珠海市生态环境局官网公告显示，2023年6月，“格力电子元器件扩产项目环境影响报告表”已顺利通过审批。该项目占地约20万平方米，整体施工周期为12个月，规划新建三座现代化厂房及配套建筑设施。其中，生产厂房1将安装一条先进的6英寸SiC芯片生产线，生产厂房2则配备6英寸晶圆封装测试生产线，而生产厂房3作为二期预留工程，以备未来发展之需。根据环评文件透露，项目全面建成后，将新增一条年产24万片6英寸SiC芯片及封装测试生产线，实现电子器件、封测一体化的SiC生产线布局，有力推动我国半导体产业自主可控能力的提升。
格力电器对SiC领域的战略布局由来已久。早在2018年，格力出资10亿元设立珠海零边界集成电路有限公司，并携手长安汽车等8家企业合资成立湖南国芯半导体科技有限公司；同时，格力还豪掷30亿元参与闻泰科技收购安世半导体的重大项目。此后，格力电器与LED芯片龙头三安光电达成战略合作，以自有资金20亿元认购其增发股份，从而持有三安光电4.76%的股权。此举旨在借助三安光电在化合物半导体领域的先发优势，助力格力中央空调、智能装备、精密模具、光伏及储能等业务板块深入半导体制造行业，并通过合作研发进一步强化公司在相关领域的技术底蕴。
近年来，格力电器积极拓展产业链合作，相继与平煤神马探索尼龙、储能及SiC半导体领域的合作机遇，同时与数字光芯、电科星拓等企业签约芯片项目。格力电器在技术研发上亦有显著突破，分别于2021年和2023年公开了“SiC肖特基半导体器件”和“SiC用驱动电路和驱动装置”两项专利，标志着其在SiC功率器件的研发及应用方面取得重要进展。
聚焦全球SiC晶圆市场，随着碳化硅基板需求持续井喷，降低SiC成本成为业界迫切关注的问题。据统计，SiC衬底成本在总成本结构中的占比高达50%，因此，基板领域的降本增效至关重要。大尺寸基板因具有显著的成本优势，逐渐成为行业期待的焦点。从TankeBlue半导体的数据来看，升级至6英寸单片成本可望降低50%，而从6英寸迈向8英寸，则有望再降成本35%。此外，8英寸基板凭借更高的利用率，能有效减少边缘浪费，大幅提升生产效率。
当前，尽管6英寸SiC基板仍占据主导地位，但8英寸基板已开始崭露头角并渗透市场。Wolfspeed和TankeBlue半导体等国际知名企业已宣布其8英寸晶圆厂进入批量出货阶段。在中国，超过十家本土企业如烁科晶体、晶盛机电、天岳先进等已成功送样或小批量生产8英寸SiC衬底，且众多厂商如环球晶圆（中国台湾）、东尼电子、合盛硅业等也纷纷投入8英寸衬底的研发生产之中。
面对未来市场需求，中国厂商积极扩产备战，包括烁科晶体、南砂晶圆、天岳先进、天科合达、乾晶半导体、科友半导体、三安光电等企业均制定了8英寸衬底相关的扩产计划，力求提前满足中下游客户的材料产能供应需求。2024年初，南砂晶圆旗下中晶芯源8英寸SiC单晶和衬底产业化项目已在山东济南备案落地，预计2025年将达到满产状态，这无疑为中国SiC产业的发展注入了新的活力。
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