台积电最快在2028年推出A14P制程中引入High NA EUV光刻技术，有望在未来两年内开始生产，并逐步取代现有的Low NA EUV光刻技术。该节点在时间上大致落在2028年。此外，台积电也将进一步改进制程技术的成本与效能，预计会在2030年后进入A10等更先进世代，而英特尔和三星电子则将在Intel A14节点使用High NA光刻，而Rapidus则要等待到2nm后才能启用。

随着科技的快速发展，全球半导体产业的竞争也日益激烈。为了满足客户对高性能、高效率的半导体产品的需求，各大公司都在不断探索新的制程技术和工艺，其中，高NA EUV光刻技术无疑是最具潜力的一种。
高NA EUV光刻技术是在EUV（曝光-离子注入）基础上发展起来的新型光刻技术，具有更高的分辨率、更快的速度以及更低的能耗。在过去的几年里，台积电已经成功推出了基于这一技术的7纳米制程，为后续的研发提供了有力支持。
然而，目前全球最先进的半导体芯片仍然在7纳米以上，这就使得如何将这样的制程推向下一个阶段成为了一大难题。为此，台积电正在积极探索更加先进的制程技术，包括即将推出的A14P制程中引入的High NA EUV光刻技术。
据说，在未来两年内，这种高NA EUV光刻技术已经开始生产，并逐步取代现有的Low NA EUV光刻技术。这不仅意味着我们距离实现更高性能的半导体芯片更近一步，也为未来的技术升级打下了坚实的基础。
此外，台积电还将进一步改进制程技术的成本与效能。他们计划在2030年后进入A10等更先进世代，这意味着未来的芯片制造将更加高效且成本更低。而对于Rapidus来说，由于他们的设备是需要等到2nm以后才能启用，因此，他们也需要耐心地等待。
总的来说，随着科技的发展，我们可以期待看到更多的技术创新和突破。无论是台积电，还是其他的大公司，都在致力于为客户提供更好的半导体产品和服务。对于全球的半导体产业来说，这也是一次难得的机会，让我们一起期待未来吧！