美光放弃 HBM3 ，转向开发 HBM3E 内存，赢得英伟达订单，将成为韩厂威胁重要原因；低成本、节能有助于降低 AI 数据中心 TCO 和竞争风险。美光寻求扩大半导体自给自足率，并与英特尔和 AMD 接手获得更多 HBM 订单；预计在 2025 年实现大规模生产和 HBM4 世代研发。
：美光放弃 HBM3，转向开发 HBM3E内存，赢得英伟达订单，将成为韩厂威胁重要原因
最近，美国光电子公司（GlobalFoundries, 简称GF）宣布，它将放弃其长期使用的大规模存储器(HBM3)技术，转而转向开发新的HBM3E内存。这一决定引发了全球半导体行业的关注。
GF目前生产的HBM3主要用于数据中心的数据存储和处理。然而，随着AI技术的发展，对存储数据的需求也在增加，因此，GF希望开发出能够更好地满足这些需求的新一代HBM技术。这种新的HBM技术被称为HBM3E，具有更高的容量和更低的能耗。
GF的这一决定引起了全球范围内的关注。英伟达（NVIDIA）、AMD以及一些大型科技公司纷纷开始投资研发HBM3E内存，以保持自己的竞争优势。
GF选择放弃HBM3的主要原因是成本效益。传统的HBM3在生产过程中需要大量的原材料和能源，而且由于其体积大、重量重，其运输和存储的成本也相对较高。相反，开发新的HBM3E内存则可以大幅降低这些成本。
此外，新的HBM3E内存还可以通过提高效率来降低成本。由于其采用了更先进的技术，例如并行处理和缓存优化等，它可以大大提高数据处理的速度，从而降低能耗和减少运行时间。
GF的目标是在2025年实现大规模生产和HBM4世代的研发。这一目标意味着GF将继续投入资源开发新的HBM技术，并期望能够在未来几年内推出更多的HBM产品。
GF的这一决定对于全球半导体行业来说是一个重大转变。一方面，GF的决定表明了公司在寻找新的增长点方面的决心。另一方面，GF的决定也为其他半导体企业提供了新的启示。毕竟，只有不断学习和改进，才能在全球激烈的市场竞争中立于不败之地。
总的来说，GF的选择是基于对未来市场的深入理解。虽然这个决定可能会带来一些挑战，但相信GF会在未来的日子里继续创造出更加优秀的产品和服务。
