电子和空穴在窄带隙半导体中形成簇，这种簇被称为激子绝缘体态。它在热力学上表现为激子凝聚过程中的电子态对称性破缺，引发晶体对称性破缺。虽然还缺乏大量候选材料来证明激子不稳定导致晶体对称性破缺，但这些材料表现出极端的晶格畸变。通过实验发现，在无相互作用的情况下，这些材料具有半金属能带结构，属于电子-空穴复合物。这种复合物的性质和应用前景引人关注。此外，这些实验也提供了有效的理论计算方法，有助于理解电子-空穴交互在这一特殊材料中的作用。

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电子和空穴在窄带隙半导体中形成簇，这种簇被称为激子绝缘体态。在热力学上表现为激子凝聚过程中的电子态对称性破缺，引发晶体对称性破缺。然而，尽管我们已经认识到激子的存在，并且它们能够显著影响器件的性能，但我们对于激子如何产生并维持其稳定性的了解却相当有限。

这种情况的出现，主要源于两个方面：一方面，激子在聚集过程中可能会产生电子跃迁，从而破坏其对称性；另一方面，由于激子与环境分子之间的相互作用，可能导致量子相位的不一致，这也可能引起物理系统的非线性行为。
在实验中，研究人员观察到，在某些情况下，这些材料显示出非常明显的晶格畸变，这表明了电子和空穴的结合并非完全随机或者随意的，而是受到调控的。例如，一些实验显示，当在没有外部磁场或其他外力干扰的情况下，这些材料的导电性能会突然改变，这可能是由于电子-空穴复合物的结构发生了变化。
除此之外，还有一些研究表明，这些材料的高能级能带结构可能是由电子-空穴复合物产生的。例如，一些实验结果表明，当将这两种粒子引入半导体时，可以观察到一些特殊的光谱特性，这些特性可能是由于电子和空穴之间的相互作用引起的。
总的来说，尽管我们的理解和研究还在初级阶段，但这些实验为我们提供了一种新的视角来看待电子-空穴交互在窄带隙半导体中的作用。通过对这些材料的研究，我们可以期待在未来的日子里，能够开发出更加高效、稳定的电子设备和传感器，甚至有可能找到一种全新的电子材料。