近年来，国家高度重视量子信息、光子与微纳电子、现代能源系统等前沿科学技术发展。其中，要解决新型发光二极管领域涉及的前沿科学问题，首先应聚焦于发光二极管构成核心—低维光源。紫光QLED技术的发展仍然受到其光源的发光波长、稳定性、荧光效率等因素的制约。 然而，紫光QLED技术的发展仍然受到其光源的发光波长、稳定性、荧光效率等因素的制约。如何通过控制反应条件，来调谐量子点的发光波长与荧光强度，不仅需要选择合适的纳米荧光材料，还需要在试验方法上进行相关优化来实现。现有研究对于紫光钙钛矿量子点报道较为罕见，但高性能紫光光源的量子点应用潜力巨大，原因是紫光量子点带隙较宽，电子产生辐射跃迁难度大，相关实验难以进一步突破。 配体辅助再沉淀方法（LARP）凭借无需高温合成，无需惰性气体通入、合成过程简便、成本低廉等特点被广泛应用于钙钛矿量子点的合成。然而，现在研究面临的主要困难是合成出的量子点发光波长单一，光致发光量子产率较低。西安建筑科技大学纳米光子技术实验室潘雍与合针对这一问题就LARP合成过程进行了一些探讨：通过冷冻处理钙钛矿的前体合成材料CH3NH3Br(MABr)，利用N-Br的低温键长收缩特性改变原始量子点晶体结构，实现不同结构之间的禁带宽度变化，从而实现荧光波长随反应时间调节的特性。相关结果以“Violet Perovskite Quantum Dots of MA3Bi2Br9 and MA3Bi2Br6Cl3 Synthesized by the Cb-LARP Method with Tunable Emission Wavelengths in Range of 379–400 nm”为题发表在《Advanced Functional Materials》上。通过Cb-LARP方法合成MA3Bi2Br9和MA3Bi2Br6Cl3紫色钙钛矿量子点MA3Bi2Br9量子点的相应尺寸、结构和元件分析如图1所示。合成的量子点进行了XRD和拉曼光谱学分析。XRD
随着科技的进步，各国政府都越来越重视前沿科学技术的发展。特别是新型发光二极管领域的研究，目前受到各种因素的影响，使得该领域的研究成果受到了限制。例如，控制反应条件来调谐量子点的发光波长与荧光强度，这是一项非常具有挑战性的任务。因此，我们需要寻找新的方法和技术来克服这个问题，推动这项技术的发展。
紫光QLED技术作为一项重要的光学技术，在当前的科研中也占据着举足轻重的地位。然而，这种技术的发展仍然受到多种因素的影响，包括光源的发光波长、稳定性、荧光效率等方面的问题。如何通过控制反应条件来调谐量子点的发光波长与荧光强度，是一个非常具有挑战性的任务。
配体辅助再沉淀法（LARP）是一种被广泛应用在钙钛矿量子点合成中的方法。然而，这种方法面临的最大问题是合成出的量子点发光波长单一，光致发光量子产率较低。为了解决这个问题，研究人员已经开始探索其他的合成方法，以提高量子点的发射效率。
西安建筑科技大学纳米光子技术实验室的潘雍教授和他的团队就针对这一问题进行了深入的研究。他们发现，通过冷冻处理，可以改变原始量子点晶体结构，从而实现不同结构之间的禁带宽度变化，进而实现荧光波长随反应时间调节的特性。这些研究结果已被发表在《Advanced Functional Materials》上。
通过对MA3Bi2Br9和MA3Bi2Br6Cl3紫色钙钛矿量子点的合成和研究，研究人员发现了这些量子点的更多细节。他们的工作显示，虽然这些量子点看起来比较简单，但是它们实际上有着复杂的物理性质。此外，他们的研究还揭示了这些量子点的电化学性质。
总的来说，这些研究为新型发光二极管领域的研究提供了更多的可能性和方向。这些研究成果不仅可以帮助我们更好地理解和掌握这项技术，也可以为未来的科学研究提供新的思路和方法。未来，我们期待看到更多关于这类量子点的研究，并期待看到它们在未来能够发挥更大的作用。