在存储卡领域持续发力的三星，近期动态频频，特别是在2月28日这一天，其震撼性地预告了一系列革新性的存储卡产品升级计划。焦点在于一款全新的256GB SD Express MicroSD存储卡，该产品的顺序读取速度达到了惊人的800MB/s，这无疑在业界引起了广泛关注。
    这款高性能存储卡的核心亮点就在于采用了先进的SD Express接口技术，这是SD协会于2023年发布的全新一代标准，通过集成NVMe和PCIe接口的强大功能，使得存储卡能够实现前所未有的高速传输效能。当前市场上的SD Express 7.0版本产品已经展现出了卓越性能，而未来随着7.x乃至8.0版本的迭代更新，数据传输速率将更上一层楼。然而，要充分释放这一速度潜能，还需配套设备如写入设备和读卡器同样支持相应的协议标准。
    此外，三星还将在今年推出两款容量达到1TB的旗舰级存储卡——PRO Plus与EVO Plus系列。这两款新品均搭载了三星自家研发的V-NAND闪存技术，在MicroSD规格的存储卡阵营中，1TB的超大容量无疑树立了新的标杆。
    根据三星官方透露的信息，1TB的PRO Plus与EVO Plus存储卡将于今年第三季度震撼上市，而那款引人瞩目的、拥有800MB/s顺序读取速度的256GB SD Express MicroSD存储卡则将在今年稍晚时候揭开神秘面纱，正式步入市场。这场由三星引领的存储卡革命，正以空前的速度和容量刷新行业记录，为用户带来极致的数据存储体验。