ASML与英特尔携手达成High NA EUV技术重大突破，半导体制造领域迎来崭新篇章！本周内，这两家行业巨头宣布在High-NA极紫外光刻机的研发上取得了里程碑式的成果。据Tomshardware报道，ASML已成功向英特尔交付了其最先进的Twinscan EXE:5000 High NA EUV光刻机的核心组件，并正式启动运作，实现了光源开启并精准照射至晶圆上的抗蚀层，标志着光源系统和反射镜的对准工作已完成，这是High-NA EUV光刻机启动过程中的关键一步，虽然当前设备尚未达到最高峰值性能。这款革命性的High-NA EUV曝光机将搭载0.55数值孔径的投影光学器件，实现单次曝光分辨率低至8nm的壮举，远超目前主流Low-NA EUV 13.5nm的分辨率水平。目前首套High-NA EUV系统已安装于荷兰Veldhoven的ASML实验室，而第二套系统则正在美国俄勒冈州的英特尔晶圆厂紧张组装中。
ASML发言人Marc Assinck进一步揭示，所谓“第一束光”的实现实际上意味着“晶圆上的首道光”，象征着光源系统的实际运行已经开始，并正在进行针对光子“抗蚀”效果的晶圆测试阶段。尽管ASML专家仍在荷兰对High NA EUV系统进行精密校准，故该机器暂未打印出首个测试图案。
在加利福尼亚州圣何塞召开的SPIE曝光会议上，英特尔技术开发总经理Ann Kelleher首次对外披露了这一重要进展，并预计这些尖端系统将主要用于制程开发领域。
此次成就被喻为“硅片上的黎明曙光”，标志着ASML与英特尔在推动半导体制造技术发展道路上的关键跃进。未来数年内，包括英特尔、台积电以及三星在内的全球顶尖芯片制造商都将有望采用这项High NA EUV光刻技术，其中英特尔已明确表示将在Intel 14A制程中部署此类设备。
（来源：芯智讯-浪客剑）
