【IT之家独家深度】2月29日，科技爆料者@Tech_Reve震撼揭示了高通公司旗舰芯片生产策略的重大转向。据其推文透露，从当前发布的骁龙8 Gen 4直至今年的所有旗舰级芯片产品，高通已全面采纳台积电先进的3nm工艺进行独家制造，以期解决之前因采用三星生产的骁龙8 Gen 1时出现的过热和效率低下的问题。然而，这一格局将在明年发生颠覆性转变。
    据悉，高通与台积电的合作关系在骁龙8 Gen 5上将有所调整，常规版本的骁龙8 Gen 5将继续沿用台积电3nm工艺中的N3E技术路线，展现其卓越性能与能效表现。而为满足三星Galaxy S26系列旗舰手机的独特需求，一款特别定制版的骁龙8 Gen 5芯片将由三星SF2P工艺打造，此举无疑为市场带来了新的爆点。
    值得注意的是，相较于三星此前的SF3工艺，SF2工艺实现了显著提升：在相同频率和复杂度下，功耗效率提高25%，在同等功耗及复杂度条件下，性能提升达12%，并且在保持同样性能和复杂度的前提下，面积缩小5%。为了使SF2工艺在竞争中更具优势，三星还将为其配备一系列尖端IP组合，包括LPDDR5x内存、HBM3P高速缓存、PCIe Gen6接口以及业界领先的112G SerDes等技术。
    更令人期待的是，SF2P工艺是在SF2工艺基础上针对高性能计算（HPC）领域进行了深度优化，预期在性能方面将迎来更为显著的进步。
    此外，关于骁龙8 Gen 5的核心设计，早前有消息透露该芯片将搭载代号为“Pegasus”的核心架构，并采取创新的“2+6”集群设计方案，同时融入Slice GPU架构，这标志着高通在移动处理器研发上的又一重大突破，也将引领智能手机行业步入全新的性能纪元。