持久内存作为一种融合内存与外存特性的新型介质，其独特的高速持久化特性，在面临磁盘IO成为性能瓶颈的关键应用场景下，无疑提供了一种破局性的解决方案，为整个行业带来了新的希望和突破点。SNIA专家Arthur Sainio、Tom Coughlin以及Jim Handy深入剖析了这场变革的核心推动力。他们以SK海力士和美光公司研发的铪铁电随机存取内存为例，指出此类技术的运行速度已经追平现代DRAM的水平，但最终哪项新兴内存技术能够脱颖而出，彻底替代客户端PC和服务器中的DRAM，目前尚无定论。
铁电随机存取内存因其超快的写入周期而备受瞩目，然而它并非唯一具有竞争力的候选者。MRAM、FERAM及ReRAM等众多新颖存储器技术正蓄势待发，竞相挑战SRAM、NOR闪存和DRAM等现有标准的地位。
专家特别强调，MRAM在诸多竞争技术中展现出显著优势，未来可预见的时间内，其读取速度极有可能达到与DRAM比肩的程度。此外，自旋轨道力矩（spin-orbit torque）与电压调控磁各向异性磁随机存储器等创新技术正在不断优化MRAM的写入延迟时间，使之逐渐成为取代DRAM的热门候选方案之一，有望改写存储技术的历史篇章。这场围绕持久内存掀起的革命浪潮，将深刻影响并重塑未来的计算和存储架构，我们翘首以待这场技术革新带来的无限可能。
