铠侠计划在未来10年内推出1000层3D NAND闪存，目标是在2030-2031年推出具备更高容量和更快读写速度的SCM存储产品业务。此外，铠侠也将投资研发新技术，如采用双堆栈工艺，以降低垂直通道的复杂度。
铠侠计划未来十年推出1000层3D NAND闪存 为了在未来的十年中领先于竞争对手，铠侠计划推出一款具有最高容量和更快读写速度的SCM存储产品业务。此外，铠侠还将投资研发新技术，如采用双堆栈工艺，以降低垂直通道的复杂度。
我们首先来看铠侠的发展战略。铠侠的目标是将三年后的SCM存储技术提升到一个全新的高度，使得其能够在同等条件下提供更高的容量。铠侠计划在未来十年内推出1000层3D NAND闪存，这是一种新型的3D-NAND技术，其每个单元可以同时存储数据，并且可以在不同的方向上读取或写入数据，这大大提高了存储空间的有效性。
接下来，我们看看铠侠如何实现这一目标。铠侠正在研发一种名为“双堆栈”的新技术，这种新技术可以在垂直通道之间进行同时的读取和写入操作，从而降低垂直通道的复杂度。这意味着在同一时间，铠侠的SCM存储产品能够同时处理多个请求，而不是需要等待多个通道完成各自的任务才能开始处理下一个请求。
除了这些技术创新外，铠侠还计划投入更多的资源来开发新技术。例如，铠侠已经决定开发使用双堆栈技术的SCM存储产品。这种新产品将会比现有的SCM存储产品更强大，因为它能够同时处理更多的请求，并且能够在更短的时间内完成任务。
总的来说，铠侠的未来发展战略是非常积极的。通过开发新的技术，铠侠计划提高其SCM存储产品的性能，使其能够满足消费者的需求，并在全球范围内占据更大的市场份额。而这一切都取决于铠侠能否成功地将其所有的努力转化为实际的产品和服务。让我们期待铠侠在未来的表现吧！