尽管2023年全球半导体市场遭遇寒冬，存储芯片市场下滑严重，但生成式AI的需求浪潮却为面向AI应用的DRAM市场注入强劲动力，保持了快速的增长态势。在这一背景下，作为AI芯片关键组件的HBM（高带宽内存）市场需求持续火爆，供不应求。
美光和SK海力士两大巨头今年的HBM产能已双双宣告售罄。其中，SK海力士在其年度财报中透露，2023年DDR5 DRAM和HBM3的营收较前一年分别增长4倍以上和5倍以上。近日，SK海力士副总裁金基泰宣布，尽管2024年刚刚开启，但公司今年的HBM产能已经全部被预订一空，且为了巩固市场领先地位，已经开始为2025年的市场需求做准备。
金基泰表示，尽管全球经济存在不稳定因素，但内存市场有望逐渐回暖，原因包括全球大型科技企业产品需求的恢复以及PC、智能手机等设备对AI应用的提升，这不仅会推动HBM3E销量增加，还将带动DDR5、LPDDR5T等产品的市场需求。
美光CEO Sanjay Mehrotra也在上一季度财报会议上证实，受益于生成式AI的热潮，美光2024年的HBM产能同样已被预订完毕，尤其是即将于2024年初量产的HBM3E预计将在本会计年度带来数亿美元的营收。
聚焦技术前沿，HBM4将成为未来竞争的核心战场。金基泰指出，随着生成式AI服务的多样化与进步，对高性能AI内存解决方案HBM的需求正以前所未有的速度激增。SK海力士凭借其技术创新及HBM的高性能、高容量特性，在行业中脱颖而出，彻底颠覆了存储半导体仅是系统一部分的传统观念。他强调，HBM的销售竞争力源于“技术优先”战略，即及时满足客户规格需求并提前预见并适应市场变化。HBM（高带宽内存）通过硅通孔（TSV）技术将多个DRAM芯片高效连接，以创新方式大幅提升数据处理速度，目前迭代至第五代产品——HBM3E。据透露，SK海力士将于今年上半年发布HBM3E，并已在1月中旬成功完成开发工作，通过了英伟达严格的性能评估测试，计划于3月开始大规模生产，并于4月向英伟达交付首批产品，相比之下，竞争对手三星电子和美光则稍显落后。
面对人工智能和高性能计算（HPC）行业的持续扩张，下一代具有2048位接口的HBM4内存成为各内存大厂竞相追逐的焦点。SK海力士坚信HBM4将有力推动人工智能市场的巨大飞跃。据了解，HBM4将拥有超过1.5 TB/s的理论峰值内存带宽，但实现这一目标需要更高的数据传输速率及更为复杂的内插器布线设计，这意味着HBM4的成本将会更高。目前，SK海力士已率先启动HBM4的研发，并与其他两家主要厂商三星、美光一样，计划于2026年开始大规模生产，但从当前研发进度来看，SK海力士占据明显优势。
值得一提的是，有传闻称SK海力士有意在美国印第安纳州建设先进封装厂，专门采用3D堆叠工艺制造HBM，并可能将其直接堆叠到英伟达AI GPU之上，为其提供更强有力的支持。
根据市场研究机构Gartner的预测，2023年全球HBM市场规模约为20.05亿美元，预计到2025年将达到49.76亿美元，增长率高达148.2%。其中，SK海力士在2022年占据了全球HBM市场份额的半壁江山，达到50%，领先于三星（40%）和美光（10%）。
金基泰透露，SK海力士始终积极应对AI时代挑战，通过提早与客户建立合作关系，准确预测市场走势，并以此为基础奠定HBM量产基础和产品开发进程，迅速占领市场。为此，SK海力士内部成立了跨部门的“HBM业务”组织，整合从产品设计、器件研究、产品开发直至量产的所有环节，并由金基泰亲自领导HBM销售和营销团队。
展望2024年，金基泰信心满满地表示：“在经济复苏的新跨越时期，我们将全力以赴，力争取得最佳经营业绩。”
