TechInsights最新权威数据显示，截至2024年2月16日的一周内，DRAM销售额呈现井喷态势，同比增长高达79%，且13周移动平均线相较于去年同期猛涨79%。机构进一步预测，2024年全球DRAM芯片销售额将强势上扬46%，有望突破780亿美元大关。在智能手机、笔记本电脑等电子终端设备市场需求的持续拉动下，上周电子产品零售价格继续走高。自2024年初以来，DRAM存储芯片连续数月价格上涨，中国客户对提价策略采取接受态度，为市场注入强大动力。Gartner先前发布的报告显示，2024年存储芯片需求将迎来强势复苏，预计营收将激增66.3%。
值得注意的是，DRAM价格已连续三个月呈上涨趋势。今年1月份，作为关键指标的DDR4 8Gb批发价攀升至约1.85美元，环比涨幅达9%，而4Gb产品价格也上浮至约1.40美元，环比上涨8%，双双实现连续第三个月的价格提升。据了解，此轮价格上涨源于春节假期前中国客户提前增加采购量以应对节后市场需求。
节后存储渠道行情整体向上，据CFM闪存市场消息，部分品牌已小幅上调SSD和内存产品的价格，整体存储现货行情保持上升势头，部分料号价格持平或小涨。DRAMexchange数据显示，在2月5日至2月19日期间，DRAM市场中有15个料号呈现上涨；NAND市场中21个型号价格稳定，7个型号则录得上涨。
台湾工商时报指出，存储芯片三大巨头三星电子、SK海力士、美光科技正通过控制供给来坚定涨价步伐。在供给受限及需求逐步回暖的双重作用下，预计2024年第一季度DRAM价格环比涨幅将在13%-18％之间，NAND涨幅更可能达到18%-23％。
尽管第二季度环比涨幅预期较第一季度收窄，但随着第三季度传统旺季的到来，季度涨幅有望扩大，存储芯片报价或将连续四季持续上扬。
对于2024年的整体存储市场，三星、SK海力士和美光三大原厂在各自的财报中均表现出乐观展望。
此外，人工智能领域对HBM的需求急剧攀升，成为一股不可忽视的力量。由于HBM被广泛应用于开发高性能的人工智能加速器，SK hynix和三星等企业纷纷抓住机遇，升级现有设施并大幅改进当前与下一代工艺技术，目前看来已初见成效。
其中，HBM主要供应商SK hynix官方确认了其过去几个月“破纪录”的HBM销量，并重申了其在HBM领域的长远发展战略，预示着市场即将迎来反弹。据悉，SK hynix今年的HBM供应已经售罄，公司正积极筹备2025财年的市场主导地位。
展望未来，多位来自存储网络行业协会（SNIA）的专家预测，到21世纪20年代末，持久性内存（PMEM）将掀起一场革新风暴，有望取代包括DRAM在内的成熟存储技术。尽管铁电存储器、MRAM、FERAM和ReRAM等多种新型存储技术正在竞逐内存市场的霸主地位，但专家们认为MRAM因其读取速度有望逼近甚至媲美DRAM，结合新技术的应用，使其成为取代DRAM的主要候选者之一。
然而，从DRAM过渡到持久性内存面临两大挑战：一是制造成本问题，二是接口兼容性问题。尽管持久性内存具有显著优势，但要实现大规模应用普及，还需克服上述障碍。专家预测，非易失性内存全面取代DRAM的时间点可能落在2030年代，但也有可能会延后。
综上所述，无论是DRAM市场的火爆增长，还是新型存储技术的崛起，都揭示了存储行业正处于深度变革与快速发展之中，未来的存储市场将充满无限可能性与挑战。
