英伟达推出的新GPU芯片Blackwell采用第三代HBM（高带宽内存）技术，有望带动存储芯片市场大幅增长，预计市场规模将在2026年翻番至230亿美元，其中SK Hynix、Samsung Electronics和Micron将成为最大受益者。此消息引起高盛等金融机构的关注，投资者可通过跟踪相关ETF产品如Invesco Next Gen Connectivity ETF (KNCT)和WisdomTree Artificial Intelligence and Innovation Fund (WTAI)来布局受益股。然而，由于HBM芯片尺寸大、产量低等挑战，供不应求或成本上升可能抑制短期利润增长，高盛分析师认为供需紧张可能导致价格上涨并增加公司整体DRAM利润率风险。因此，鉴于这一前景，分析师强调关注传统DRAM内存芯片供应情况的变化和HBM在竞争格局中的地位。
英伟达发布新GPU芯片：驱动存储芯片市场翻倍，巨头受惠，投资策略解析
随着全球半导体行业继续向前沿科技方向迈进，一项备受瞩目的新技术——高带宽内存（HBM）技术的应用正在推动着存储芯片市场的大规模增长。英伟达近日推出的新GPU芯片Blackwell，其采用第三代HBM技术，预计将引发存储芯片市场的巨大变化，并预示着未来2026年的市场规模将由当前的约200亿美元翻一番至230亿美元。作为最大受益者之一，知名金融分析机构高盛已经对此展开了深入研究，并基于对市场供求关系和HBM芯片性能影响的分析，为投资者提供了关注的关键信息。
首先，高盛指出，黑白数字逻辑（DLP）或DDR4 SDRAM芯片是目前主流的存储器类型，而HBM芯片则具有显著的优势，例如更高的数据传输速率、更大的带宽以及更低的延迟。这些特性使HBM能够支持更高容量、更高速度的数据读取和写入，从而实现更多的计算任务和更快的处理速度，最终推动存储芯片市场的增长。根据Gartner报告，尽管早期阶段HBM技术主要用于游戏和其他高性能计算应用，但其潜力已经开始显现，尤其是在数据中心、医疗影像等领域。
据高盛预测，到2026年，HBM芯片将在存储芯片市场占据主导地位。据市场研究公司DRAMeXchange预计，到2026年，HBM市场的年复合增长率将达到18%，远高于同期传统DDR4市场12%的增长率。这意味着，对HBM芯片的需求将持续增加，主要受益者包括SK Hynix、Samsung Electronics和Micron。
对于SK Hynix而言，HBM将成为他们加快研发创新、提高产品竞争力的重要战略工具。得益于其庞大的内存产品线，SK Hynix一直在积极寻求扩展其HBM产品线的机会。其公告显示，截至2021年底，SK Hynix已成功开发出第二代HBM，而第四代HBM已经在实验室进行测试，并有望在2023年初推出。HBM 4将提供更大的带宽和更高的频率，这将使HBM成为下一代数据中心的主力内存解决方案。
同样受益于HBM市场的增长，Samsung Electronics也在积极扩大其在该领域的份额。其HBM 4 SoC已在Galaxy A系列旗舰智能手机中采用了成熟的产品技术，进一步巩固了其在移动市场的领先地位。此外，三星还在不断优化其HBM供应链管理，确保其产品的稳定供应和较高的性价比。
对于Micron，尽管在HBM技术的研发上相对较晚，但在一些关键的消费级存储应用中，其HBM产品也具备一定的竞争优势。其子公司SanDisk推出了首款HBM 3 SSD产品，凭借其出众的性能和耐用性，受到了消费者的广泛好评。通过继续投入研发，micron有望在未来的HBM市场竞争中取得领先地位。
然而，尽管HBM芯片的发展势头强劲，但由于其体积大、生产效率低、价格高等挑战，供不应求或成本上升可能抑制短期利润增长。高盛分析师认为，HBM在短期内可能会推动存储芯片市场的价格上涨，这将增加公司的整体DRAM利润率风险。他们建议投资者密切关注传统DRAM内存芯片供应情况的变化，特别是在SK Hynix、Samsung Electronics和Micron等巨头持续加大研发投入的情况下。如果出现供应紧张的情况，这些公司的股票可能因产品价格的上涨而受到追捧，甚至有高盛将其纳入到相关的基金或ETF中进行投资。
综上所述，英伟达推出的Blackwell新GPU芯片引发了存储芯片市场的大规模增长，而SK Hynix、Samsung Electronics和Micron等巨头将在其中受益。虽然HBM芯片面临着高库存压力和生产成本上升的风险，但考虑到其潜在的市场增长和强大的供应能力，高盛对其持有乐观态度，并提醒投资者关注传统DRAM内存芯片供应情况的变化和HBM在竞争格局中的地位，以便做出明智的投资决策。随着需求持续增长和HBM技术的不断发展，存储芯片市场将继续保持旺盛的生命力，对各个厂商来说都将是一次重大的机遇和挑战。