IBM与Rapidus展示GAA晶体管研发成果，新技术有望用于2nm制程；两家公司分别引入两种选择性减少层工艺，可实现多阈值电压；Nanosheet纳米片具有复杂结构，简化新生产工艺，使Rapidus更容易使用2纳米制程制造芯片。

在最新的科技展览上，IBM和Rapidus展示出了他们的GAA晶体管研发成果。两家公司都引入了两种选择性减少层工艺，旨在提高生产效率并降低成本。
IBM的新型GAA晶体管采用了基于氮化镓的新型二维半导体材料，能够降低生产成本并提高性能。这种技术利用了一种叫做“多阈值电压”的技术，可以有效地减少电阻和电压，从而降低功耗和电力消耗。
Rapidus公司的新型GAA晶体管则采用了不同的材料和工艺。他们选择了氮化碳作为基底材料，而不是传统的硅基材料。这种材料不仅更加轻薄，而且可以有效减小材料之间的接触面积，从而进一步降低能耗和电力消耗。
此外，这两家公司的新产品还具有复杂的结构，这使得它们更容易使用2纳米制程制造芯片。Rapidus公司的新型GAA晶体管使用了新的沉积方法，可以将许多晶体管在一个单个晶圆上进行集成。这种创新的方法可以极大地简化生产工艺，并使他们更容易地应用到各种类型的芯片设计中。
总的来说，IBM和Rapidus都在不断探索和开发新的科技，以推动半导体行业的发展。他们的最新研发成果显示，这些公司有能力开发出更高效、更节能的新产品，为我们的生活和工作带来更多的便利。