三星电子已在美国得克萨斯州倾力打造一座全新的芯片制造工厂，并原计划于今年7月份启动生产尖端的4纳米产品线，但有消息称投产时间可能延后至2025年。不仅如此，三星展现出了宏大的长期战略视野，预计在未来数十年间在得克萨斯州逐步建设总计11家芯片生产厂，并将进一步扩大奥斯汀现有园区的规模和产能。值得注意的是，据IT之家援引彭博社独家披露，三星与美国相关部门已经达成初步协议，这60亿美元的补贴并非仅针对得克萨斯州单一项目，但具体补贴用途目前尚未公开明确。而在当前的补贴竞赛中，英特尔已经锁定100亿美元，台积电获得50亿美元，Global Foundries（格芯）则分得了15亿美元。若三星再获60亿美元补贴，剩余可分配资源将变得极为有限。
美国政府为推进先进光刻技术的发展，规划投资高达280亿美元。然而，仅上述四家巨头所获得的补贴总额就已经逼近225亿美元。此外，尽管美国当局预备通过偿还方式再提供750亿美元拨款，但三星公司内部已私下表示对此类贷款及预付款并无强烈兴趣。
知情人士透露，美国官员将在下周决定对英特尔的最终补贴额度，其他企业也有可能在接下来的一周内陆续获得审批结果。此次三星电子的巨额补贴争夺战及其后续影响，无疑将对全球半导体行业格局产生深远影响，也为美国本土芯片制造业的复兴增添了浓墨重彩的一笔。
