随着科技的发展，硅片大小已由纳米级缩小至埃米级。在五年内，一项名为“直接混合键合”的新技术可能成为解决大规模计算需求的关键。该技术通过在同一封装中将多个芯片堆叠并连接，创造三维芯片。每平方毫米硅片上有700万到1400万个连接，大大提高了节点性能。为实现这一目标，英特尔、三星等芯片制造商正在开发新的关键封装技术。未来五年，直接混合键合有可能大幅提高芯片性能和密度。混合键合的关键在于铜 pad 的应用，它安装在硅片顶部，并与硅片形成夹角。当两个芯片紧密堆积时，铜 pad 就会将这两个芯片密封在一起，从而实现高速数据传输。据估计，到2029年，直接混合键合将占据高端封装市场的近半。未来，随着技术的进步，这一趋势有望持续扩大。
随着科技的发展，硅片大小已由纳米级缩小至埃米级。在五年内，一项名为“直接混合键合”的新技术可能成为解决大规模计算需求的关键。该技术通过在同一封装中将多个芯片堆叠并连接，创造三维芯片。每平方毫米硅片上有700万到1400万个连接，大大提高了节点性能。为实现这一目标，英特尔、三星等芯片制造商正在开发新的关键封装技术。
在传统的硅片封装中，单个芯片被嵌入到硅片上，形成一个独立的电路空间。然而，这种封装方式往往限制了芯片的设计和制造。为了克服这些限制，一些芯片制造商开始尝试使用硅片上的金属原子作为连接点，以此创建更大的集成电路。这种被称为“直接混合键合”的新技术，可以实现这种设计方法。
直接混合键合的关键在于铜 pad 的应用，它安装在硅片顶部，并与硅片形成夹角。当两个芯片紧密堆积时，铜 pad 就会将这两个芯片密封在一起，从而实现高速数据传输。这种封装方式使得多个芯片堆叠在一个硅片上，形成了一个新的三维结构，大大提高了节点性能。据估计，到2029年，直接混合键合将占据高端封装市场的近半。
随着技术的进步，这一趋势有望持续扩大。比如，使用更小的金属原子进行链接，可以减少芯片之间的电阻，提高通信速度；同时，也可以利用硅片的平坦表面，改善芯片的散热效率，延长其使用寿命。此外，直接混合键合还可以与其他新型封装技术结合，如先进的微电子技术，进一步提升芯片的性能。
总的来说，随着科技的不断发展，硅片尺寸正在不断缩小。在未来五年内，我们有理由相信，“直接混合键合”将在解决大规模计算需求方面发挥重要作用。虽然这一技术还有许多挑战需要克服，但只要继续发展和改进，我们有理由期待它的广泛应用。
