比利时微电子研究中心（imec）在荷兰 Eingenanten 和 ASML 的合作下成功发布高数值孔径极紫外光（High-NA EUV）光刻实验室的成果，包括多个随机逻辑结构、随机通孔、二维特征等。它们首次成功成形，并用于非公开的高分辨率的 EUV 单次曝光。此外，imec还成功利用单次曝光为动态随机存取内存（DRAM）制出了一个集成的节点连接垫（storage node landing pad）。这一技术的成功展示了其在 EUV 高精度应用方面的潜力，有望通过单次曝光取代多层光罩的曝光需求。这一突破性的进展体现了High-NA EUV 技术的强大能力，将进一步推动 EUV 在工业制造中的应用。
第1部分：主要
比利时微电子研究中心（IMEC）和ASML近期携手发布了一项重大成果。该项目的成功实现了对极紫外光（High-NA EUV）的高数值孔径以及低噪声操作，这也是目前国际上最为先进的纳米加工技术之一。
该团队首次成功地制作出多个随机逻辑结构、随机通孔以及二维特征，并且这些装置被用于非公开的高分辨率的 EUV 单次曝光。他们还成功地利用单次曝光为动态随机存取内存（DRAM）制出了一个集成的节点连接垫（storage node landing pad），这项技术被认为具有非常广阔的应用前景。
对于这个项目的成功实施，imec表示：“这是一个非常重要的里程碑，标志着我们在 EUV 电磁技术领域取得了重要突破。”同时，ASML 的CEO Peter Wennink也强调了他们在 EUV 光刻领域的领先地位：“我们的研发团队展现了他们的专业知识和技能，这不仅对我们来说是一个巨大的提升，也为我们赢得了市场份额。”
项目的结果表明，随着 EUV 工艺技术的不断发展，它将为各个行业的生产效率和服务质量带来深远的影响。而在技术实现的同时，imec与ASML的合作也将加速推动整个 EUV 行业的发展进程。
总之，这一令人瞩目的进展证明了 High-NA EUV 技术的强大潜力，并将有可能在未来引领整个 EUV 高精度工艺技术的革新潮流。而这种革命性的发展也将有助于推动欧盟乃至全球的科技发展。