随着NE研究院的数据揭示，中国在功率半导体尤其是IGBT领域的成就日益显著，本土半导体企业在该领域内的表现正逐步提升。本文将深入剖析国产功率半导体的崛起现状、市场竞争格局以及碳化硅的应用前景，并揭示中国半导体行业所面临的挑战与机遇。
Part 1：国产替代的情况
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### 国产功率半导体崭露头角
- 比亚迪半导体 在2023年功率模块装机量上实现81.6%的强劲增长，市场份额跃升至28.9%，其出货量更是突破了350万套大关，展现出了强大的市场竞争力。- 中车时代半导体（中国中车） 表现抢眼，功率模块装机量同比增长68.8%，占据市场份额12.5%。
- 斯达半导体 虽然同比增长仅为4.9%，但市场份额保持在8.3%，其IDM-lite模式下的市场份额问题值得关注，但也预示着未来存在潜在发展空间。
- 士兰微电子 市场份额同比大幅增长523.4%，以4.5%的市场份额在SiC领域内脱颖而出，特别是在600V到800V电压段表现出色。
### 外资品牌竞争态势
外资品牌如英飞凌虽面临本土企业的激烈竞争，但依然凭借14.5%的市场份额坚守阵地；联合电子则实现了116.3%的惊人同比增长和6%的市场份额，显现出新能源乘用车市场的快速增长潜力。
Part 2：市场现状与市场集中度
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### 市场竞争情况
当前功率半导体市场规模庞大，每月出货量波动于80万套左右，其中，碳化硅产品应用占比不足10%，主要关注400V碳化硅平台的应用，HP1产品在180-230千瓦区间占据主流地位。国产企业间竞争激烈，尤其在降本增效方面展开较量。
### 碳化硅的应用与前景
尽管碳化硅在降低能耗方面具有优势，但在400V平台上成本增加的压力较大。为了缩小与国际品牌的差距，国内厂商正在通过提高生产规格、单位面积电流能力和良率等方式降低碳化硅成本。同时，产业链向上游整合成为行业发展的重要趋势，主机厂也在增强自身电控能力，减少对外部供应商的依赖。
综上所述，中国功率半导体市场在面对降低成本、提升效率的双重挑战时，碳化硅对IGBT的替代趋势明显，但需审慎评估技术成熟度与成本因素。国产化替代在晶圆层面仍面临挑战，而产业链整合和技术创新将成为推动市场持续发展的关键动力。
